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导读：很多朋友不知道低噪声放大器的基本设计原理，如何选择低噪声放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答Gain Block的基本设计原理。

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LNA的基本设计②

目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。 它的核心部件是金属半导体场效应管（MESFET） 。 金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底， 用特殊工艺形成源极（S） 、 栅极（G） 和漏极（D） 三个电极； 通过栅极电压来控制漏极电流， 从而实现对小信号的放大功能。微波场效应管的主要参数有： 特征频率、 单向功率增益和振荡频率、 最大输出功率和噪声特性。微波场效应管低噪声放大器设计主要考虑的问题是计算输入、 输出匹配网络和选择工作点。 通常、 二级按最小噪声系数设计， 中间级按高增益设计， 末级则保持良好的线性， 满足系统互调特性的要求。微波场效应管低噪声放大器的设计步骤：

大多数情况下晶体管的生产厂家提供相应型号的器件的噪声参量和 S 参数。晶体管的噪声参量和 S 参数也可以通过在实际工作点下， 测量所需频段的噪声参量和 S 参数得到。 

推荐产品一、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1014 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率：1 ～30 GHz
增益：18dB
噪声系数：2.5dB
-1dB输出功率：16.0dBm
输入回波损耗：-30dB
输出回波损耗：-30dB
工作电流：70mA @+5V

推荐产品二、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1015 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率：1 ～30 GHz
增益：17dB
噪声系数：2.8dB
-1dB输出功率：19.0dBm
输入回波损耗：-30dB
输出回波损耗：-20dB
工作电流：150mA @+8V

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