中国上海，2025年1月9日——中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）和南昌中微半导体设备有限公司共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号：ZL201510218357.1）荣获第二十五届中国专利奖银奖。

中国专利奖是我国专利领域的最高荣誉，由国家知识产权局和世界知识产权组织联合主办，旨在鼓励和表彰专利权人和发明人对技术创新及经济社会发展所作出的突出贡献。至此，中微公司已荣获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖，这标志着中微公司在技术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。

本次获奖的发明专利是中微公司MOCVD设备产品的基础核心专利。MOCVD设备是宽禁带半导体各种微观器件制造的最关键设备，采用单晶外延生长技术生产LED芯片、功率器件以及其它第三代半导体器件，具有广阔的应用前景。中微公司的MOCVD设备在业界享有盛誉，其氮化镓基LED生产用MOCVD设备的市场占有率在过去几年内跃居全球第一，市场占有率超过70%。

本次获奖专利从反应腔内流体动力学和气流分布的角度提供了一种构思新颖、巧妙的设计，使反应气体排气与反应副产物沉积物的收集、存储相互分离，避免了固体沉积物对排气口的堵塞，巧妙解决了MOCVD设备领域一直困扰的排气不均匀、工艺良率低、维护频繁和生产效率低等业界难题。这一突破性的技术，为客户提供了更可靠、更高效的生产解决方案，有力推动了MOCVD设备的技术进步，促进了LED照明与显示产业的新发展。这一创新成果进一步巩固了中微公司在MOCVD设备市场的领先地位，也为国家节能减排、降低能耗作出了巨大贡献。

“中微公司连续斩获中国专利奖，彰显了中微公司在研发创新和知识产权管理方面的领先地位。”中微公司董事长兼总经理尹志尧博士表示，“创新是中微公司发展的核心驱动力。中微公司将始终秉承技术创新、产品差异化和知识产权保护的产品开发原则，强化研发投入，不断突破技术瓶颈，为客户提供更具创新性和卓越品质的产品和服务，为全球半导体产业的发展贡献更大的力量。”

关于中微半导体设备（上海）股份有限公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类，包括十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，涵盖从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI设备，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司也在布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。这些设备都是制造各种微观器件的关键设备，可加工和检测微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。在美国TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半导体设备客户满意度调查中，中微公司三次获得总评分第三，薄膜设备三次被评为第一。